东芝最新推出的100V N沟道功率MOSFET采用最新一代工艺技术，旨在提升工业设备开关电源效率

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东芝推出采用其最新 U-MOS11-H 工艺技术的 100V N 沟道功率 MOSFET TPH2R70AR5。与前代产品相比，这款新型 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 降低了 8%，栅极总电荷降低了 37%，同时关键性能指标提升了 42-43%。该器件专为数据中心和通信设备电源设计，通过降低传导和开关损耗来提高效率。该器件采用 SOP Advance (N) 封装，现已开始供货。